通过堆叠332层存储单元并优化横向存储密度，芯片位密度提升59%；写🐋🌮入功耗效率优化18%，读取功耗🤾♀️。
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通过堆叠332层存储单元并优化横向存储密度，芯片位密度提升59%；写🐋🌮入功耗效率优化18%，读取功耗🤾♀️。
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